分子束外延生长InGaN／A1N量子点的组分研究

• 作者: 汪莱 罗毅 胡健楠 胡懿彬 郝智彪 钮浪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 量子点 反射式高能电子衍射
• 年，卷（期）: 2012,（23）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 479-483
• 分类号: TN304.26
• 语种: 中文

摘要

报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN／A1N量子点材料，并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫，以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响，提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定InGaN量子点组分的方法．