非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20（ST-BT）的正电子湮没谱学研究

• 作者: 刘建党 叶邦角 安然 张丽娟 张杰 成斌 李强 王力海 赵明磊
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 正电子寿命谱 非铁电压电陶瓷 烧结温度 缺陷结构
• 年，卷（期）: 2012,（23）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 484-489
• 分类号: TQ174.758
• 语种: 中文

摘要

采用传统陶瓷烧结工艺成功制备出新型非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bil2TiO20（ST-BT），利用正电子湮没技术，对ST-BT复合陶瓷烧结过程进行了研究，讨论了烧结过程中材料内部的缺陷变化特征，给出了烧结温度对该复合陶瓷结晶度和缺陷结构的影响．发现烧结温度在860L-940℃，烧结时间为3h的实验条件下，ST-BT复合陶瓷已趋于稳定，出现了大量的单空位型缺陷．烧结温度超过980℃将引起Bil2Ti020相的大量分解，杂相的出现造成缺陷的聚集，形成大尺度的微空洞．实验结果表明，烧结温度在920-940℃的烧结条件下，ST-BT复合陶瓷的结构特性及压电性能均表现出较好的稳定性．