近空间升华法制备CdZnTe厚膜及其性能研究

• 作者: 介万奇 査钢强 苏虹 高俊宁
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 近空间升华法 CdZnTe厚膜 薄膜探测器 光电性能
• 年，卷（期）: 2012,（23）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 3322-3324,3328
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 1507字
• 语种: 中文

摘要

采用近空间升华法在FTO玻璃衬底上制备CdZnTe多晶厚膜,并采用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、紫外-可见光谱仪、I-V测试仪等对CdZnTe厚膜的表面形貌、成分、结构以及光电性能进行分析表征。结果表明,所制备的CdZnTe膜均匀致密,随生长时间的延长,晶粒尺寸明显增大;不同厚度的CdZnTe膜均表现出沿（111）晶面的择优生长;CdZnTe厚膜的禁带宽度在1.53～1.56eV之间;电阻率在1010Ω.cm数量级,具有较好的光电响应,试制的薄膜探测器可用作计数型探测器。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	高俊宁	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	13	59	4.0	7.0
3	苏虹	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
4	査钢强	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	1	1	1.0	1.0