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摘要:
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算对含有反位缺陷(5,5)单壁碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究.纳米管进行结构优化的结果显示,Csi缺陷在纳米管表面形成了凹陷,Sic缺陷形成了凸起;反位缺陷在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使纳米管表现出n型导电的特点,由价带顶到缺陷能级的跃迁,在垂直和平行于纳米管管轴方向上形成了新的介电峰.
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文献信息
篇名 反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究
来源期刊 物理学报 学科 化学
关键词 碳化硅纳米管 反位缺陷 电子结构 光学性质
年,卷(期) 2012,(23) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 446-451
页数 分类号 O613.7
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郭立新 西安电子科技大学理学院 188 1461 19.0 27.0
2 张志勇 西北大学信息科学与技术学院 98 759 13.0 22.0
3 杨银堂 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院 32 202 6.0 13.0
4 王平 西安电子科技大学理学院 32 201 9.0 12.0
5 宋久旭 1 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
碳化硅纳米管
反位缺陷
电子结构
光学性质
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
中国博士后科学基金
英文译名:China Postdoctoral Science Foundation
官方网址:http://www.chinapostdoctor.org.cn/index.asp
项目类型:
学科类型:
论文1v1指导