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摘要:
通过对GaN/A1xGa1-xN异质结中二维电子气磁输运结果的分析,研究了磁电阻的起因.结果表明,整个磁场范围的负磁电阻是由电子一电子相互作用引起的,而高场下的正磁电阻来源于平行电导的进一步修正.用拟合的方法得到了电子一电子相互作用项以及平行电导层的载流子浓度和迁移率,并用不同的计算方法对拟合结果进行了验证.
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文献信息
篇名 GaN/A1xGal-xN异质结二维电子气的磁电阻研究
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 二维电子气 磁电阻 电子 电子相互作用 平行电导
年,卷(期) 2012,(23) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 452-456
页数 分类号 O484.43
字数 3067字 语种 中文
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研究主题发展历程
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二维电子气
磁电阻
电子
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平行电导
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期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
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