微锗掺杂直拉单晶硅中的锗-空位复合体

• 作者: 吴太权
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: GCZ硅 锗-空位复合体 CASTEP 第一性原理
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 136-140
• 分类号: TN304.12
• 语种: 中文

摘要

利用第一性原理研究了微锗掺杂直拉单晶硅中的锗和微缺陷的相互作用,其中微缺陷用一个空位、两个空位和三个空位模拟.CASTEP计算了锗与一个空位、两个空位和三个空位相互作用的情况,通过分析三种情况下锗与空位（或空位组中心）的间距及空位面积（或体积）的大小,分别给出了三种情况下最稳定的锗-空位复合体结构模型.计算表明在微锗掺杂硅单晶中由于锗的引入,空位容易团聚在锗原子附近,形成锗-空位复合体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴太权	中国计量学院理学院物理系	14	17	2.0	3.0