一种超低功耗、容错的静态随机存储器设计

• 作者: 吴璇 杨晋生 肖谧 陈立
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 静态随机存储器 双互锁存储单元 单粒子翻转 电路设计
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 167-170
• 分类号: TN710-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2012.08.051

摘要

为了减轻辐射环境中静态随机存储器(SRAM)受单粒子翻转(SEU)的影响以及解决低功耗和稳定性的问题,采用TSMC 90 nm工艺,设计了一款可应用于辐射环境中的超低功耗容错静态随机存储器.该SRAM基于双互锁存储单元(DICE)结构,以同步逻辑实现并具有1 KB(1 K×8 b)的容量,每根位线上有128个标准存储单元,同时具有抗SEU特性,提高并保持了SRAM在亚阈值状态下的低功耗以及工作的稳定性.介绍了这种SRAM存储单元的电路设计及其功能仿真,当电源电压VDD为0.3V时,该SRAM工作频率最大可达到2.7 MHz,此时功耗仅为0.35 μW;而当VDD为1V时,最大工作频率为58.2 MHz,功耗为83.22 μW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晋生	天津大学电子信息工程学院	52	322	8.0	16.0
2	肖谧	天津大学电子信息工程学院	27	145	7.0	11.0
3	吴璇	天津大学电子信息工程学院	6	27	3.0	5.0
4	陈立	加拿大萨斯卡彻温大学电子与计算机工程学院	1	3	1.0	1.0