GaN基LED电流加速失效机理分析

• 作者: 张方辉 李艳菲 梁田静 邱西振
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: LED 老化 失效机理 一体化封装
• 年，卷（期）: 2012,（24）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 3452-3455
• 页数: 4页
• 分类号: TN364.2
• 字数: 3275字
• 语种: 中文

摘要

自行封装了一体化大功率白光GaN基发光二极管（LED）,将LED芯片直接封装到铝板上。在室温1A下进行电流加速老化实验,通过对老化前后不同时间段器件的电学、光通量和光谱特性进行测量来分析器件的失效机理,主要分析器件的芯片和荧光粉的失效机理。器件老化前后的电学特性表明,老化过程中,器件的串联电阻和低正向偏压下的热电子发射电流增大;光通量曲线表明,LED所加驱动电压低时,多数载流子的迁移率低,复合效率高,所以在低电流测试下LED的衰减慢;光谱曲线和色温曲线表明,在老化初始阶段,荧光粉的退化很快,一段时间后蓝光芯片衰减占主导。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张方辉	陕西科技大学电信学院	150	773	13.0	20.0
2	梁田静	陕西科技大学电信学院	7	41	4.0	6.0
3	邱西振	陕西科技大学电信学院	6	46	4.0	6.0
4	李艳菲	陕西科技大学电信学院	6	39	4.0	6.0