图形化蓝宝石衬底上InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性研究

• 作者: 于彤军 张国义 徐承龙 钟灿涛 陶岳彬 颜建
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 物理学
• 关键词: 图形化蓝宝石衬底发光二极管 峰值波长 极化场 Efficiency droop
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 7-10
• 分类号: O433.4
• 字数: 1880字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2012)01-0007-04

摘要

运用电致发光(EL)和光致发光(PL)实验,分析了图形化蓝宝石衬底( PSSLEDs)和常规平面蓝宝石衬底(C-LEDs) InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性.对比EL谱,发现PSSLEDs拥有更强的光功率和更窄的半峰宽(FWHM),说明PSSLEDs具有较高的晶体质量.其次,PSSLEDs的EL谱半峰宽随电流增加出现了更快的展宽,而这两种LED样品的PL谱半峰宽随激光功率增加呈现了基本相同的展宽变化,说明在相同电流下,PSSLEDs量子阱中载流子浓度更高,能带填充效应更强.另外,随着电流的增加,PSSLEDs和C-LEDs的峰值波长都发生蓝移,且前者的蓝移程度较小,结合半峰宽的对比分析,说明PSSLEDs量子阱中的极化电场较小.最后,对比了PSSLEDs和C-LEDs的外量子效率随电流的变化,发现PSSLEDs拥有更严重的efficiency droop,说明量子阱中极化电场不是导致efficiency droop的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟灿涛	北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室北京大学物理学院	25	266	9.0	16.0
2	颜建	北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室北京大学物理学院	1	4	1.0	1.0
3	于彤军	北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室北京大学物理学院	4	6	2.0	2.0
4	徐承龙	北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室北京大学物理学院	1	4	1.0	1.0
5	陶岳彬	北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室北京大学物理学院	2	4	1.0	2.0