抑制GaN基LED发光效率衰减的研究进展

• 作者: 余小明 刘为刚 周佐华 徐迪 曾梦麟 陈康
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: LED GaN 发光效率 效率衰减
• 年，卷（期）: 2012,（21）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 25-29
• 页数: 5页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 3499字
• 语种: 中文

摘要

目前蓝宝石衬底氮化镓基发光二极管取得了显著发展,但在通用照明领域中,GaN基LED仍然需要更高的发光效率和光输出功率.提高发光亮度和抑制大电流注入发光效率衰减是当前GaN基LED领域的研究重点.从GaN基LED外延层内部结构即电子发射层、发光复合区量子阱、电子阻挡层方面介绍了近年来提高LED发光亮度和抑制发光效率衰减的最新进展,分析了电子发射层、发光复合区结构、电子阻挡层对LED性能的影响,并展望了其未来的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾梦麟	湖南大学微纳光电器件及应用教育部重点实验室	2	7	2.0	2.0
2	周佐华		2	4	1.0	2.0
3	陈康		1	3	1.0	1.0
4	刘为刚		1	3	1.0	1.0
5	徐迪		3	3	1.0	1.0
6	余小明		1	3	1.0	1.0