Cu(In,Ga)Se2太阳能电池快速热退火效应

• 作者: 周平华 徐飞 杜汇伟 杨洁 石建伟 郑玲玲 陈东生 马忠权
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 太阳能电池 快速热退火 光致发光 薄膜缺陷
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 光电技术
• 页码范围: 1629-1632
• 分类号: O474
• 字数: 2407字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20122407.1629

摘要

利用光致发光(PL)分析快速热退火对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)电池的影响,研究退火对薄膜缺陷的影响.Cu(In,Ga)Se2电池的PL谱中总共有7个峰,即2个可见波段峰和5个红外波段峰.退火温度较低,可减少薄膜体内缺陷,提高载流子浓度,改善薄膜质量；退火温度过高,则会引起正常格点处元素扩散,元素化学计量比改变,体内缺陷增加,吸收层带隙降低,反而会对CIGS薄膜造成破坏.