CVD制备3C-SiC及其应用于MEMS的研究进展

• 作者: 严春雷 刘荣军 张德坷 张长瑞 曹英斌
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 立方相碳化硅薄膜 化学气相沉积 力学性能 电学性能 MEMS器件
• 年，卷（期）: 2012,（21）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 13-16,29
• 页数: 5页
• 分类号: TM23
• 字数: 4506字
• 语种: 中文

摘要

高温、强振、强腐蚀、高湿等恶劣环境中的监测和控制系统对MEMS (Microelectromechanical systems)提出了新的挑战.SiC具有化学惰性,高热导率及优良的力学、电学、高温性能,在MEMS技术中备受青睐,成为SiMEMS体系极具竞争力的替代材料.综述了关于立方相碳化硅(3C-SiC)薄膜的化学气相沉积(CVD)制备方法,介绍了其力学、电学性能的最新研究进展,最后举例说明了3C-SiC薄膜在MEMS器件中应用的研究现状.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	30	357	10.0	18.0
2	刘荣军	国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	13	96	5.0	9.0
3	曹英斌	国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	15	104	6.0	10.0
4	严春雷	国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	5	52	4.0	5.0