原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
射频开关作为一个系统的重要组成部分其性能直接影响整个系统的指标和功能.其中插入损耗和隔离度以及开关速度是射频开关最重要的几个指标.在实际测试中,S波段脉冲信号源需要产生快前沿的窄脉冲信号.在此基于上述需求,利用了射频开关模块设计的基本原理,并结合了PCB上微带线的特性阻抗分析,且设计了合适的开关驱动电路,最终设计出一种高隔离度,低插入损耗,高速射频开关,开关控制电压为(0,-5 V).在频率2~4 GHz的条件下,插入损耗小于1.7 dB,隔离度大于48 dB,结果满足设计要求.
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开关
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MMIC
功率
HFET
有耗匹配
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种基于MMIC技术的S波段GaAs单刀单掷开关
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 单刀单掷 射频开关 特性阻抗 S波段
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目 元器件与应用
研究方向 页码范围 139-141
页数 分类号 TN919-34
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-373X.2012.02.041
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周翼鸿 10 58 5.0 7.0
2 李天明 28 105 6.0 9.0
3 刘聪 2 5 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
单刀单掷
射频开关
特性阻抗
S波段
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
总下载数(次)
0
总被引数(次)
135074
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