Pt插层对铁磁／反铁磁界面交换耦合的影响

• 作者: 于广华 刘洋 王一军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁性多层膜 交换耦合 Pt插层 未补偿磁矩
• 年，卷（期）: 2012,（16）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 437-442
• 分类号: O482.5
• 语种: 中文

摘要

在铁磁层（FM）／反铁磁层（FeMn）耦合体系中插入Pt插层或对靠近FM／FeMn界面处的FeMn掺杂Pt元素，研究了体系的交换偏置场日Bx及矫顽力日。随Pt插层深度dPt与Pt掺杂层厚度tPtFeMn的变化关系．实验结果表明，引入Pt插层后NiFe／FeMn（dPt）／Pt／FeMn体系的未补偿磁矩（UCS）的数量得到很大的提高，从而对Hex与Hc起到增强的作用；同时，从实验结果可以推测FeMn层内部UCS的分布深度约为1.3nm．另外，对靠近FM／FeMn界面处的FeMn掺杂Pt元素，发现掺入Pt元素后体系的Hex得到有效增强，这是因为掺入Pt元素后体系UCS的数量也得到很大的提高．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘洋	北京科技大学材料物理与化学系	102	727	15.0	24.0
2	于广华	北京科技大学材料物理与化学系	88	372	9.0	14.0
3	王一军	北京科技大学材料物理与化学系	1	1	1.0	1.0