氧化硅团簇切削单晶硅粗糙峰的分子动力学模拟研究

• 作者: 司丽娜 郭丹 雒建斌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 分子动力学模拟 非晶相变 超精密加工
• 年，卷（期）: 2012,（16）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 475-481
• 分类号: TG111.4
• 语种: 中文

摘要

应用分子动力学模拟方法研究了氧化硅团簇在不同的切削深度下切削单晶硅粗糙峰的过程，考察了切削过程中粗糙峰和氧化硅团簇形态变化、团簇的受力状况、粗糙峰原子配位数和温度分布等．模拟结果表明：切削深度小于0．5nm时，被去除的材料以原子或者原子簇形式存在，并黏附在颗粒表面被带走；当切削深度增大至1nm时，材料的去除率增大，并形成大的切屑．在切削过程中，由于压力和温度的升高，粗糙峰切削区域的单晶硅转变为类似Si-Ⅱ相和Bct5-Si相的过渡结构，在切削过程后的卸载阶段，过渡结构由于压力和温度的下降转变为非晶态结构．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭丹	清华大学摩擦学国家重点实验室	27	337	9.0	18.0
2	雒建斌	清华大学摩擦学国家重点实验室	96	1802	22.0	37.0
3	司丽娜	清华大学摩擦学国家重点实验室	1	1	1.0	1.0