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双平衡CMOS下变频混频器设计中的参数折衷
双平衡CMOS下变频混频器设计中的参数折衷
作者:
胡俊伟
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CMOS
混频器
双平衡
参数折衷
摘要:
射频前端的下混频器是进行频率变换的重要模块,将射频信号转换成中频信号.主要阐述了双平衡式CMOS混频器设计过程中重要参数之间的折衷,同时对于参数之间的折衷也给出了一些方法.
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文献信息
篇名
双平衡CMOS下变频混频器设计中的参数折衷
来源期刊
信息通信
学科
社会科学
关键词
CMOS
混频器
双平衡
参数折衷
年,卷(期)
2012,(6)
所属期刊栏目
技术创新
研究方向
页码范围
63-64
页数
2页
分类号
CN11-4775
字数
1745字
语种
中文
DOI
五维指标
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胡俊伟
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混频器
双平衡
参数折衷
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研究来源
研究分支
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相关学者/机构
期刊影响力
信息通信
主办单位:
湖北省通信学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1673-1131
CN:
42-1739/TN
开本:
大16开
出版地:
湖北省武汉市
邮发代号:
创刊时间:
1987
语种:
chi
出版文献量(篇)
18968
总下载数(次)
92
总被引数(次)
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