拓扑绝缘体HgTe纳米材料制备技术

• 作者: 余卫平 巫朝剑 廖雷 蒋丽 蒋坤朋 覃爱苗
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 化学
• 关键词: 碲化汞 晶体生长 纳米材料
• 年，卷（期）: 2012,（23）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 8-13,29
• 页数: 7页
• 分类号: O64|O65
• 字数: 4375字
• 语种: 中文

摘要

概述了近期碲化汞纳米材料的各种制备技术的研究进展,并总结了制备、技术中出现的问题.结合晶体生长机理,分析了碲化汞量子点、纳米线等典型的形貌特征.介绍了碲化汞制备技术研究中具有代表性的几个课题组的研究动向.结合本课题组的研究进展,讨论了碲化汞制备过程中碲源和汞源所存在的问题.最后展望了碲化汞的制备技术改进.