紫光对多晶掺锰铁酸铋薄膜铁电和电输运性质的影响

• 作者: 刘保亭 姜庆华 彭增伟 杜明辉
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺锰铁酸铋 光 漏电流 电滞回线
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1545-1547,1552
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4|O484.3
• 字数: 2996字
• 语种: 中文

摘要

采用溶胶-凝胶的方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了5％Mn掺杂的BiFeO3(BFMO)薄膜,并构建了Pt/BFMO/Pt对称型电容器,研究了紫光对多晶BFMO薄膜铁电性及J-V特性的影响.实验发现,在紫光的照射下,薄膜的电导增大,这是由于紫光入射在BFMO薄膜上,产生了光生我流子.当外加电压为5V时,漏电流密度由9.1mA/cm2增大到16.3mA/cm2.Pt和BFMO的接触满足金属-半导体理论中的欧姆接触,并且光的存在并没有改变Pt/BFMO/Pt电容器的漏电流机制.当光入射到薄膜表面,样品的剩余极化强度增大,由无光时的91.7μC/cm2增大到光照时的99.9μC/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘保亭	河北大学物理科学与技术学院	84	302	10.0	13.0
2	彭增伟	河北大学物理科学与技术学院	7	16	3.0	3.0
3	姜庆华	唐山工业职业技术学院机械工程系	13	30	3.0	5.0
4	杜明辉	石家庄铁道大学数理系	19	127	6.0	11.0