FDZ661PZ／FDZ663P：WL-CSPMOSFET

• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET器件 飞兆半导体公司 RDS(ON) 设计人员 散热问题 封装工艺 P沟道 线路板
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 页码范围: 34-34
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

飞兆半导体公司推出了FDZ661PZ和FDZ663PP沟道、1．5V规格的PowerTrench薄型O．8mmX0．8mmWL-CSPMOSFET器件。帮助设计人员在涉及中对终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题作出良好应对。这些器件采用新的“微间距”薄型WL-CSP封装工艺，大限度地减小线路板空间和RDS（ON），