APT40GRl20B／S／B2D30：NPTlGBT

• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 关键词: B/S 非穿通型 IGBT 导通损耗 分立元件 产品 器件
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 页码范围: 33-33
• 页数: 1页
• 分类号: TN322.8
• 语种: 中文

摘要

美高森美公司推出新一代1200V非穿通型（non。punchthrough，NPT）IGBT系列中的新产品。新的IGBT系列采用美高森美的PowerMOS8技术，总体开关和导通损耗显著降低。美高森美新的分立元件产品包括APT40GRl20B、APT40GRl20S和APT40GRl2082D30。这些器件可以单独提供，