关于VLSI器件中噪声问题的研究

• 作者: 付璐 张洋 燕国庆
• 来源期刊: 电子世界
• 学科: 工学
• 关键词: VLSI 降低噪声 INT CMOS Constant-gm
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 科研发展
• 页码范围: 93-94
• 分类号: TN47
• 字数: 1543字
• 语种: 中文

摘要

随着 VLSI器件的快速发展,电路中的噪声变成了非常具有挑战性的问题.在VLSI期间中,CMOS赁借着本身的特点发挥着无与伦比的作用.本文介绍了几种降低噪声影响的方法,优化CMOS器件组成电路,提高噪声容忍度,或者是通过直接对器件的某些方面做出调整,降低了器件噪声.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付璐	华东师范大学信息科学技术学院	4	12	2.0	3.0
2	张洋	华东师范大学信息科学技术学院	9	11	2.0	3.0
3	燕国庆	华东师范大学信息科学技术学院	3	3	1.0	1.0