利用空间电荷限制电流方法确定三（8-羟基喹啉）铝的电子迁移率特性初步研究

• 作者: 刘式墉 段羽 臧春亮 谢月 赵毅 陈平 骆杨
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 空间电荷限制电流 缓冲层 迁移率 三(8-羟基喹啉)铝
• 年，卷（期）: 2012,（14）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 397-401
• 分类号: O614.31
• 语种: 中文

摘要

材料的迁移率是其关键电学特性之一.有机材料迁移率的研究对于有机电致发光器件、有机太阳电池、有机薄膜场效应晶体管性能的提高有重要的意义.应用简单易行的空间电荷限制电流方法,对基于三（8-羟基喹啉）铝（Alq_3）的四种单载流子器件电流密度-电压曲线特性进行研究,根据空间电荷限制电流模型,拟合出Alq_3材料在四种器件中的零场电子迁移率和电场依赖因子,并且给出Alq_3电子迁移率随外加偏压的变化趋势.实验结果表明,顶电极铝蒸镀到缓冲层氟化锂（1 nm）和Alq3（100 nm）的表面后,可以明显改善Alq_3的零场迁移率和电场依赖因子.认为产生这种现象的原因是氟化锂可以使铝和Alq_3发生络合反应,形成Li~（＋1）Alq~（-1）粒子,形成良好的欧姆接触,使得电子的注入效率大大提高.