基于固体开关器件的“过”驱动技术研究

• 作者: 周晓青 陈静
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: '过'驱动 功率MOSFET 固体开关 电路实验
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 121-123
• 分类号: TN919-34|TL823
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2012.02.036

摘要

为了提高功率MOSFET的开关速度,从功率MOSFET的开关机理加以分析,通过用仿真与电路实验相结合的方法,研究出了功率MOSFET栅极的“过”驱动技术,大大加快了功率MOSFET的开关速度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈静	中国工程物理研究院电子工程研究所	22	93	6.0	9.0
2	周晓青	中国工程物理研究院电子工程研究所	6	47	3.0	6.0