用于反应堆中子/γ射线混合场测量的涂硼电离室性能

• 作者: 朱立 赵经武 辛勇 陈国云 雷升杰 马加一 魏志勇 黄三玻 黄福成
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 涂硼电离室 漏电流 坪特性 灵敏度
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 核物理学
• 页码范围: 127-134
• 分类号: O571.53
• 字数: 3333字
• 语种: 中文

摘要

近年来，涂硼电离室已逐渐成为核反应堆周围大通量中子，1，射线混合场监测的辐射探测器之一．研制了一种高灵敏度涂硼电离室，并给出了其内部结构．用fA级弱电流放大器测得：当涂硼电离室的工作电压在700V以下时，漏电流小于1．0pA；用Am-Be中子源辐照时测得涂硼电离室的电流曲线坪长为500V坪斜为3．72X10-4V-1：当涂硼电离室的工作电压为400V时，对应漏电流为0．4pA．测试表明涂硼电离室中子信号电流与辐照源的相对位置有关，将Am-Be中子源置于距石蜡慢化体底部8cm时，测得中子信号电流最大值为2．0pA．用137Cs和90sr辐照时测得涂硼电离室v射线信号电流为1．0-2．0pA，但在1，射线场中坪特性不如中子场中坪特性明显．电离室中予探测灵敏度达1．0×10-15Acm2S量级，1，射线探测灵敏度达9．0×10-22Acm2S．eV-1量级．这种涂硼电离室漏电流小、灵敏度高、坪特性好，可用于反应堆周围的中子/γ射线混合场测量．