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摘要:
采用直流反应溅射法在Si(100)衬底上制备了有TiO2过渡层的ZnO薄膜,并与直接在Si上生长的样品进行比较.通过X射线衍射技术和光致发光谱等分别对ZnO薄膜的结构和光学性质进行测量和分析.测量结果表明,引入过渡层后ZnO薄膜的平均晶粒尺寸变大,晶粒间界变少,结晶质量提高,薄膜内的应力得到一定程度的释放.此外,室温光致发光谱表明过渡层使ZnO薄膜的紫外发射明显增强,并研究和分析了其微观机理.
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文献信息
篇名 TiO2过渡层对Si基ZnO薄膜光致发光特性的影响
来源期刊 材料导报 学科 物理学
关键词 ZnO薄膜 过渡层 TiO2薄膜
年,卷(期) 2012,(6) 所属期刊栏目 材料研究
研究方向 页码范围 31-33
页数 分类号 O484
字数 2758字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-023X.2012.06.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘照军 洛阳师范学院物理与电子信息学院 32 163 7.0 11.0
3 赵建果 洛阳师范学院物理与电子信息学院 8 5 2.0 2.0
5 张伟英 洛阳师范学院物理与电子信息学院 11 9 2.0 2.0
9 刘振中 洛阳师范学院物理与电子信息学院 22 24 3.0 4.0
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节点文献
ZnO薄膜
过渡层
TiO2薄膜
研究起点
研究来源
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期刊影响力
材料导报
半月刊
1005-023X
50-1078/TB
大16开
重庆市渝北区洪湖西路18号
78-93
1987
chi
出版文献量(篇)
16557
总下载数(次)
86
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