基于微观结构的Cu互连电迁移失效研究

• 作者: 刘莉 吴振宇 彭杰 杨银堂 柴常春 魏经天
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu互连 电迁移 微观结构
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 493-498
• 分类号: TN470.597
• 语种: 中文

摘要

提出了一种基于微观晶粒尺寸分布的Cu互连电迁移失效寿命模型.结合透射电子显微镜和统计失效分析技术。研究了Cu互连电迁移失效尺寸缩小和临界长度效应及其物理机制.研究表明,当互连线宽度减小,其平均晶粒尺寸下降并导致互连电迁移寿命降低.小于临界长度的互连线无法提供足够的空位使得铜晶粒耗尽而发生失效.当互连长度大于该临界长度时,在整个电迁移测试时间内,部分体积较小的阴极端铜晶粒出现耗尽情况.随着互连长度的增加该失效比例迅速增大,电迁移失效寿命减小.当互连长度远大于扩散长度时,失效时间主要取决于铜晶粒的尺寸,且失效寿命和比例随晶粒尺寸变化呈现饱和的波动状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴振宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	24	170	9.0	12.0
2	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
3	刘莉	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	14	69	4.0	7.0
4	柴常春	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	80	592	15.0	19.0
5	彭杰	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	12	2.0	2.0