Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究

• 作者: 任维义 冀婷 张志娇 方泽波 朱燕艳 汪建军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Tm_2O_3 X射线光电子能谱 能带偏移
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 470-474
• 分类号: O471.5
• 语种: 中文

摘要

利用分子束外延系统在Si（001）衬底上制备了单晶Tm_2O_3薄膜,利用X射线光电子能谱研究了Tm_2O_3相对于Si的能带偏移.得出Tm_2O_3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV±0.2 eV和1.9 eV±O.3 eV并得出了Tm_2O_3的禁带宽度为6.1 eV±0.2 eV.研究结果表明Tm_2O_3是一种很有前途的高κ栅介质候选材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任维义	西华师范大学物理与电子信息学院	35	78	4.0	7.0
2	方泽波	绍兴文理学院物理系	15	18	2.0	3.0
3	朱燕艳	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	4	12	2.0	3.0
4	冀婷	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	张志娇	西华师范大学物理与电子信息学院	1	0	0.0	0.0