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摘要:
通过理论和实验研究了1550 nm量子阱垂直腔面发射激光器(QW-VCSEL)的饱和效应对2.5 Gbps二进制伪随机序列(PRBS)慢光延时的影响.利用Fabry-Perot腔边界条件结合光场分布,推导出VCSEL中信号相位和延时表达式,并结合速率方程,建立信号功率与延时之间的联系.实验研究了在VCSEL逐渐达到饱和状态过程中PRBS信号的延时时间和眼图的变化情况.理论和实验结果表明,由于受饱和效应的影响,大功率信号在VCSEL中传输得到更好的信号质量,但以牺牲延迟时间为代价.为了获得较大的时延,一方面需要控制信号功率,其次还需要调节信号波长以追踪由于饱和效应导致的VCSEL峰值增益波长的变化轨迹.
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文献信息
篇名 垂直腔面发射激光器的饱和效应对慢光延时影响的研究
来源期刊 物理学报 学科 工学
关键词 慢光延时 垂直腔面发射激光器 饱和效应
年,卷(期) 2012,(1) 所属期刊栏目 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
研究方向 页码范围 228-234
页数 分类号 TN248.4
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
慢光延时
垂直腔面发射激光器
饱和效应
研究起点
研究来源
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期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
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