异质栅全耗尽应变硅金属氧化物半导体模型化研究

• 作者: 刘红侠 曹磊 王冠宇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变硅 异质栅 阈值电压 解析模型
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 416-421
• 分类号: TN304.21
• 语种: 中文

摘要

为了进一步提高小尺寸金属氧化物半导体（MOSFET）的性能,在应变硅器件的基础上,提出了一种新型的异质栅MOSFEET器件结构.通过求解二维Poisson方程,结合应变硅技术的物理原理,建立了表面势、表面电场以及阈值电压的物理模型,研究了栅金属长度、功函数以及双轴应变对其的影响.通过仿真软件ISE TCAD进行模拟仿真,模型计算与数值模拟的结果基本符合.研究表明：与传统器件相比,本文提出的异质栅应变硅新器件结构的载流子输运效率进一步提高,可以很好地抑制小尺寸器件的短沟道效应、漏极感应势垒降低效应和热载流子效应,使器件性能得到了很大的提升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	王冠宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	12	48	5.0	6.0
3	曹磊	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	19	3.0	4.0