Ga/N高共掺浓度对ZnO导电性能和红移影响的第一性原理研究

• 作者: 侯清玉 迎春 马文
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ga/N高共掺ZnO 电导率 红移 第一性原理
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 402-408
• 分类号: O561.2
• 语种: 中文

摘要

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了未掺杂ZnO单胞和两种不同浓度的Ga/N高共掺ZnO超胞模型,分别进行了几何结构优化、总态密度分布和能带分布的计算.研究表明,ZnO高共掺Ga/N的条件下,Ga/N高共掺浓度越大,导电性能越弱,并且高掺杂后高能区红移效应显著,计算得到的结果与实验结果的变化趋势一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯清玉	内蒙古工业大学理学院物理系	43	191	7.0	9.0
2	迎春	内蒙古工业大学理学院物理系	29	74	5.0	7.0
3	马文	内蒙古工业大学材料学院	28	164	5.0	12.0