离子束溅射Ge量子点的应变调制生长

• 作者: 李亮 杨宇 杨杰 王茺 陶东平 靳映霞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge量子点 埋层应变 离子束溅射
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 379-385
• 分类号: O484.1
• 字数: 4099字
• 语种: 中文

摘要

采用离子束溅射技术制备了单层和双层Ge量子点,通过原子力显微镜对比了不同Si隔离层厚度和不同掩埋量子点密度情况下表层量子点的尺寸和形貌差异,系统研究了掩埋Ge量子点产生的应变对表层量子点的浸润层及形核的影响,并用埋置应变模型对其进行解释.实验结果表明,覆盖Ge量子点的Si隔离层中分布着的应变场,导致表层量子点浸润层厚度的降低,从而增大点的体积;应变强度随隔离层厚度的减小而增加,造成表层量子点形状和尺寸的变化;此外,应变还调控了表层量子点的空间分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	靳映霞	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	22	112	6.0	9.0
4	陶东平	昆明理工大学冶金与能源工程学院	42	223	8.0	14.0
5	李亮	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	9	41	3.0	6.0