接触电阻对碳纳米管场发射的影响

• 作者: 吕文辉 张帅
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 场发射 接触电阻 电流饱和
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 521-525
• 分类号: TN873.95
• 语种: 中文

摘要

基于改进的悬浮球模型。计算了碳纳米管和衬底间的接触电阻存在时碳纳米管顶端的局域电场,并结合FowlerNordhenim（F-N）场发射规律研究了接触电阻对碳纳米管场发射的影响.研究表明,接触电阻的存在,在高电场区域接触电阻抑制了碳纳米管的电子场发射,导致在高电场区域出现电流饱和及FN直线偏折现象.其原因可归结为接触电阻使得在碳纳米管顶端的局域电场相对于没有接触电阻时相对地减少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕文辉	湛江师范学院物理系	6	28	4.0	5.0
2	张帅	湛江师范学院科技处	5	28	4.0	5.0