V2O5电极修饰对C60/Pentacene双层异质结场效应晶体管性能的影响

• 作者: 吴峰 杜博群 梁晓宇 田海军 程晓曼 赵赓
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 有机场效应晶体管 双极型 异质结 过渡金属氧化物
• 年，卷（期）: 2012,（21）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 498-503
• 分类号: O613.3
• 语种: 中文

摘要

制备了用过渡金属氧化物V2O5修饰Al源、 漏电极的C60/Pentacene双层异质结有机场效应管. 该构型器件与未修饰器件相比, 呈现出典型的双极型晶体管传输特性. 电子迁移率和空穴迁移率分别达到8.6× 10-2 cm2/V·s-1和6.4× 10-2 cm2/V·s-1, 阈值电压分别为25 V和-25 V. 器件性能改善的原因主要是由于插入V2O5修饰层后, 可以明显降低Al电极与Pentacene之间的接触势垒, 提高空穴的有效注入, 从而使电子和空穴的注入接近平衡. 研究表明, 采用V2O5修饰电极方法, 是制备低成本、 高性能的双极型有机场效应管并实现其商业应用的有效途径.