0.02～2 GHz GaN分布式功率放大器的原理及设计

• 作者: 沈川 肖仕伟 谢晓峰
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: GaN 分布式放大器 功率放大器 宽带放大器
• 年，卷（期）: 2012,（24）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计
• 页码范围: 141-144
• 页数: 4页
• 分类号: TN722-34
• 语种: 中文

摘要

作为一种宽带放大器的结构,分布式放大器结构能够实现高达多个倍频程的带宽,这种结构是由电感元件和晶体管的等效电容构成的栅极和漏极两条人工传输线组成的.随着第三代宽禁带半导体GaN的发展,将GaN技术应用在分布式放大器的设计中,能够得到较高的输出功率,实现宽带功率放大器的设计.介绍了一种采用4个GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)设计分布式功率放大器的原理和方法,实现了0.02～2 GHz的带宽.仿真结果表明,带宽内小信号增益大于10 dB,增益平坦度优于±0.5 dB,饱和输出功率大于41 dBm,PAE大于15％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖仕伟	中国工程物理研究院电子工程研究所	15	111	6.0	10.0
2	谢晓峰	中国工程物理研究院电子工程研究所	4	28	3.0	4.0
6	沈川	中国工程物理研究院电子工程研究所	3	25	3.0	3.0