非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型

• 作者: 包军林 庄奕琪 张丽 李聪 韩茹
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非对称HALO掺杂 栅交叠轻掺杂漏 围栅MOSFET 解析模型
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 536-543
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

为抑制短沟道效应和热载流子效应,提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构.通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续的泊松方程,推导出新结构的沟道静电势、阈值电压以及亚阈值电流的解析模型.结果表明,新结构可有效抑制短沟道效应和热载流子效应,并具有较小的关态电流.此外,分析还表明栅交叠区的掺杂浓度对器件的亚阈值电流几乎没有影响,而栅电极功函数对亚阈值电流的影响较大.解析模型结果和三维数值仿真工具ISE所得结果高度符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	183	1168	15.0	22.0
2	包军林	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	43	306	10.0	16.0
3	李聪	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	9	42	4.0	6.0
4	张丽	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	25	178	9.0	12.0
5	韩茹	西北工业大学航空微电子中心	4	22	3.0	4.0