（α, β , γ）-Nb5Si3电子结构和光学性质研究

• 作者: 孙勇 段永华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Nb5Si3 第一性原理 态密度 光学性质
• 年，卷（期）: 2012,（21）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 369-377
• 分类号: O484.41
• 语种: 中文

摘要

基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法, 采用局域密度近似, 计算了不同结构的α-Nb5Si3, β-Nb5Si3和γ-Nb5Si3的电子结构、态密度以及光学性质. 计算结果表明, Nb5Si3费米能级附近价带主要是由Nb的4d轨道及Si的3s和3p轨道贡献, 导带主要由Nb的4d轨道贡献; Nb5Si3的光学性质具有各向异性的特征, 其零频介电常数ε1（0）=207, 折射率n0=13; 在15 eV以上的高能区表现为无色透明.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙勇	昆明理工大学材料科学与工程学院	105	750	13.0	21.0
2	段永华		4	15	2.0	3.0