硼氮原子取代掺杂对分子器件负微分电阻效应的影响

• 作者: 范志强 谢芳
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非平衡格林函数 密度泛函理论 电子输运 负微分电阻效应
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 434-440
• 分类号: O561.2
• 语种: 中文

摘要

利用基于非平衡格林函数和密度泛函理论相结合的第一性原理计算方法,研究了硼氮原子取代掺杂对三并苯分子电子输运性质的影响.计算结果表明,三并苯分子器件的电流在特定偏压区间内随电压的增加而减小呈现出负微分电阻效应,电流的峰谷之比高达5.12.用硼原子或者氮原子取代分子的中心原子后,器件0.8 V以内的电流明显增加,但是负微分电阻效应减弱,相应的电流峰谷比分别降至3.83和3.61.分析认为,输运系数在特定偏压下的移动是器件负微分电阻效应的主要成因.核外电子数的差异导致硼氮原子掺杂取代可以使器件轨道及其透射峰分别向高能方向或者低能方向移动从而有效地调控了器件的低偏压下的电子传输能力和负微分电阻效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢芳	宜春学院物理科学与工程技术学院	3	3	1.0	1.0
2	范志强	长沙理工大学物理与电子科学学院	13	33	3.0	4.0