外磁场对介质表面次级电子倍增效应的影响

• 作者: 夏洪富 宣春 朱湘琴 王建国 王玥 蔡利兵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 次级电子倍增 外磁场 介质表面击穿 数值模拟
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 265-270
• 分类号: O441.4
• 语种: 中文

摘要

本文采用Particle-in-cell数值方法模拟研究了不同强度外磁场条件下的次级电子倍增效应过程,分析了外磁场对次级电子倍增效应的影响.结果表明,当外磁场达到一定强度时,次级电子倍增效应在微波传输的一半时间内被抑制.通过外磁场抑制,在理想条件下可以使介质窗的微波传输功率容量提高4倍以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玥		18	106	6.0	9.0
2	蔡利兵		15	91	6.0	8.0
3	朱湘琴		21	67	5.0	6.0
4	宣春		9	77	3.0	8.0
5	夏洪富		8	58	3.0	7.0