溅射制备Ge，Nb共掺杂窄光学带隙和低电阻率的TiO2薄膜

• 作者: 狄国庆 罗晓东
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge．Nb—TiO2薄膜 电阻率 光学带隙 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2012,（20）
• 页码范围: 391-397
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射技术制备了Ge，Nb共掺杂的锐钛矿结构TiO。薄膜，详细探讨了薄膜的结构、电阻率及光学带隙等性质随Ge，Nb掺杂量、溅射功率和热处理温度等参数的变化，发现Ge，Nb共掺杂可以同时调节Ti02薄膜的光学带隙和电阻率．体积分数约为6％Nb和20％Ge的共掺杂TiO2薄膜电阻率由10^4Ω／cm减小至10^-1Ω／cm，光学带隙由3．2eV减小至1．9eV．退火后掺杂Ti02薄膜不仅显示更低的电阻率，还表现出更强的可见．红外光吸收．结果表明，改变Ge，Nb的掺杂量和退火条件能够制备出电阻率和带隙都可调的TiO2薄膜．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	狄国庆	苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室	18	135	7.0	11.0
2	罗晓东	苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室	1	1	1.0	1.0