基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管潜在缺陷退化模型

• 作者: 何亮 孙鹏 杜磊 陈文豪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 1/f噪声 潜在缺陷 界面陷阱 氧化层陷阱
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 446-452
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

基于金属-氧化物-半导体-场效应管（MOSFET）辐射损伤的微观机理,推导出了MOSFET经历辐照之后氧化层空穴俘获与阈值电压漂移之间关系的表达式.又根据MOSFET中1/f噪声产生的微观机理,建立了辐照之前MOSFET的1/f噪声功率谱幅值与阈值电压漂移量之间的定量关系,并通过实验予以验证.结果表明,辐照之前的1/f噪声功率谱幅值与辐照之后的阈值电压漂移量存在正比例关系,阈值电压漂移量可以反映出MOSFET内部的潜在缺陷的退化程度,因此,该模型有助于利用1/f噪声参量来表征MOSFET内部潜在缺陷的数量和严重程度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
2	何亮	西安电子科技大学技术物理学院	36	212	7.0	14.0
3	陈文豪	西安电子科技大学技术物理学院	15	128	6.0	11.0
4	孙鹏	西安电子科技大学技术物理学院	16	70	4.0	8.0