射频电路中的CMOS LNA设计方法与性能提高方法研究

• 作者: 张洋 燕国庆
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: CMOS LNA 设计方法 SOC ESD
• 年，卷（期）: 2012,（17）
• 所属期刊栏目: 设计应用
• 页码范围: 135-137
• 页数: 3页
• 字数: 1312字
• 语种: 中文

摘要

本文对RF电路中的LNA的CMOS设计方案进行研究,并对各种性能(如噪声匹配能力、线性度、阻抗匹配等)的提高方法进行研究总结,例如可以通过两级放大等方法提高线性度以及噪声匹配能力,最后介绍了Ghz的LNA静电保护设计方案,可使LNA的性能更加出色.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张洋	华东师范大学信息科学技术学院	9	11	2.0	3.0
2	燕国庆	华东师范大学信息科学技术学院	3	3	1.0	1.0