GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响

• 作者: 富容国 张益军 杨永富 王晓晖 邹继军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN光电阴极 电子逸出几率 表面势垒 双偶极层模型
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 473-478
• 分类号: TN203
• 语种: 中文

摘要

针对GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响问题,应用玻尔兹曼分布和基于Airy函数的传递矩阵法计算了GaN光电阴极的电子逸出几率,发现电子逸出几率主要由Ⅰ势垒决定,Ⅱ势垒对电子逸出几率的影响有限.利用自行研制的GaN光电阴极激活评估实验系统,测试了透射式GaN光电阴极样品的激活光电流.实验发现,Cs单独激活引起电子逸出几率的显著增加,而Cs单独充分激活后的Cs/O交替激活对电子逸出几率的影响有限.理论计算结果与激活光电流测试结果一致,其原因是Cs单独激活对降低真空能级的贡献远大于Cs/O共同激活.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹继军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	24	279	11.0	15.0
2	王晓晖	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	92	6.0	8.0
3	张益军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	28	105	6.0	8.0
4	富容国	南京理工大学电子工程与光电技术学院	27	227	8.0	14.0
5	杨永富	南京理工大学电子工程与光电技术学院	2	7	2.0	2.0