GaN（0001）表面电子结构和光学性质的第一性原理研究

• 作者: 常本康 张俊学 李飙 杜玉杰 王晓晖
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN(0001)表面 电子结构 光学性质 功函数
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 414-420
• 分类号: O561.2
• 语种: 中文

摘要

采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法计算了（2×2）GaN（0001）清洁表面的能带结构、态密度、表面能、功函数和光学性质.发现弛豫后GaN（0001）表面的能带结构发生较大变化,表面呈现金属导电特性,导带底附近存在明显的表面态,在偶极矩的作用下表面电荷发生转移,Ga端面为正极性表面;计算获得了GaN（0001）表面的表面能和功函数分别为2.1 J·m~（-2）和4.2 eV;比较分析了GaN（0001）表面和体相GaN的光学性质,发现两者存在较大差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	王晓晖	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	92	6.0	8.0
3	张俊学	南京理工大学电子工程与光电技术学院	1	17	1.0	1.0
4	李飙	南京理工大学电子工程与光电技术学院	6	37	4.0	6.0