单轴应变Si导带色散关系解析模型

• 作者: 宋建军 张鹤鸣 王冠宇 王晓艳 胡辉勇 马建立
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单轴应力 应变Si,k.p理论 色散关系
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 401-408
• 分类号: O346.2
• 语种: 中文

摘要

本文基于k·p理论框架,分析了单轴应力对导带能带结构的影响,详细讨论了剪切应力作用下布里渊区边界X点处△1和△2,能带之间的耦合作用及其对导带能谷极小值的改变,由此进一步给出了能谷极值点附近的色散关系.最后通过不同能谷之间的坐标变换,得到了任意单轴应力作用下每个能谷的色散关系.本文的研究可以为单轴应变Si材料物理性质的理解以及对反型层能带结构、电学特性的相关研究提供一定的理论参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	36	204	9.0	12.0
4	王冠宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	12	48	5.0	6.0
5	马建立	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	6	29	3.0	5.0