缺陷分布对Ag-SiO2薄膜电阻翻转效应的影响

• 作者: 刘紫玉 孟洋 张培健 梁学锦 潘新宇 赵宏武 陈东敏
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻翻转效应 缺陷 热处理
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 423-428
• 分类号: TB34
• 语种: 中文

摘要

通过改变制备条件，研究了Ag-Si02薄膜中的缺陷对电阻翻转效应的影响．对比不同的热处理实验条件，发现在120℃退火的样品经forming过程后具有稳定的电阻转变特性；另一方面，在Ar／O2混合气氛下生长的SiO2具有比在纯Ar下生长的样品更加稳定、重复的电阻转变特性．通过实验分析，表明热处理、电场作用和样品制备气氛可以改变、调节样品中的缺陷分布（Ag填隙原子和氧空位缺陷），从而导致Ag-Si02中基于缺陷的导电通道结构的形成和湮灭，提出了提高电阻翻转稳定性的不要条件。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张培健	北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所	2	3	1.0	1.0
2	孟洋	北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所	2	3	1.0	1.0
3	刘紫玉	北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所	2	3	1.0	1.0
4	潘新宇	北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所	1	1	1.0	1.0
5	梁学锦	北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所	1	1	1.0	1.0
6	陈东敏	北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所	1	1	1.0	1.0