带有n^＋深阱的三阱CMoS工艺中寄生NPN双极效应及其对电荷共享的影响

• 作者: 刘必慰 池雅庆 陈书明 陈建军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷共享 单粒子效应 n^+深阱 寄生双极型晶体管
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 360-366
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

基于三维TCAD器件模拟,研究了带有n^＋深阱的90 nm三阱CMOS器件在重离子辐照下产生的电荷共享效应.研究结果表明在重离子辐照时,n^＋深阱会导致寄生的NPN双极型晶体管触发,显著增强NMOS间的电荷共享,其放大因子达到双阱工艺中寄生PNP晶体管放大因子的2—4倍.进而分别研究了n阱接触和P阱接触对寄生NPN双极放大的影响,结果表明增大P阱接触的面积和减小n阱接触的距离将抑制NPN晶体管的放大作用,而增大n阱接触的面积将增强NPN的放大作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈书明	国防科技大学计算机院微电子与微处理器研究所	65	467	11.0	18.0
2	刘必慰	国防科技大学计算机院微电子与微处理器研究所	17	101	6.0	9.0
3	陈建军	国防科技大学计算机院微电子与微处理器研究所	15	50	6.0	6.0
4	池雅庆	国防科技大学计算机院微电子与微处理器研究所	8	12	2.0	3.0