基于栅绝缘层表面修饰的有机场效应晶体管迁移率的研究进展

• 作者: 仪明东 李雯 石巍巍 解令海 韦玮 黄维
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机场效应晶体管 场效应迁移率 栅绝缘层 表面修饰
• 年，卷（期）: 2012,（22）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 570-581
• 分类号: TN3
• 语种: 中文

摘要

栅绝缘层的表面性质对有机场效应晶体管（OFETs）的半导体薄膜的形貌、晶粒生长的有序性和载流子的传输有着重大的影响．研究表明，通过改进栅绝缘层的表面性质，可以有效提高有机场效应晶体管的迁移率．本文综述了OFETs绝缘层表面的粗糙度和表面能对OFETs迁移率的影响，重点探讨了栅绝缘层表面修饰常用的方法，即自组装单层（SAMs）修饰和聚合物修饰与迁移率改进之间的研究进展．最后，展望了该研究方向未来可能的发展趋势．