锰的硅化物薄膜在Si（100）-2×1表面生长的STM研究

• 作者: 李玮聪 王丹 石高明 邹志强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 扫描隧道显微镜 锰的硅化物 固相反应 Ostwald熟化
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 391-396
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

锰的硅化物在微电子器件、自旋电子学器件等领域具有良好的应用前景,了解锰的硅化物薄膜在硅表面的生长规律是其走向实际应用的关键步骤之一.本文采用分子束外延方法在Si（100）-2×1表面沉积了约4个原子层的锰薄膜,并利用超高真空扫描隧道显微镜研究了该薄膜与硅衬底之间在250—750℃范围内的固相反应情况.室温下沉积在硅衬底表面的锰原子与衬底不发生反应,薄膜由无序的锰团簇构成;当退火温度高于290℃时,锰原子与衬底开始发生反应,生成外形不规则的枝晶状锰硅化物和富锰的三维小岛;325℃时,衬底上开始形成平板状的MnSi小岛;525℃时,枝晶状锰硅化物完全消失,出现平板状的MnSi_（1.7）7大岛;高于600℃时,富锰的三维小岛和平板状的MnSi小岛全部消失,仅剩下平板状的MnSi_（1.7）大岛.这些结果说明退火温度决定了薄膜的形态和结构.在大约600℃退火时岛的尺寸随着退火时间的延长而逐渐增大,表明岛的生长遵从扩散限制的Ostwald熟化机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王丹	上海交通大学分析测试中心	51	256	9.0	13.0
2	李玮聪	上海交通大学分析测试中心	2	1	1.0	1.0