考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET特性研究

• 作者: 刘红侠 曹磊
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子化效应 高k材料 SOI MOSFET,阈值电压
• 年，卷（期）: 2012,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 470-475
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性．通过数值方法自治求解薛定谔方程和泊松方程，得到了垂直于SiO2／Si界面方向上载流子波函数及能级的分布情况，结合Young模型，在考虑短沟道效应和高庀栅介质的情况下，对SOIMOSFET的阈值电压进行模拟分析．结果表明：随着纵向电场的增加，量子化效应致使反型层载流子分布偏离表面越来越严重，造成了有效栅氧化层厚度的增加和阈值电压波动．采用高向栅介质材料，可以减小阈值电压，抑制DIBL效应．较快的运算速度保证了模拟分析的效率，计算结果和ISE仿真结果的符合说明了本文的模型精度高．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	曹磊	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	19	3.0	4.0