脉冲磁场对水热法制备Mn掺杂ZnO稀磁半导体的影响

• 作者: 刘聪 朱明原 李瑛 王世伟 胡业旻 金红明 钟民
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 稀磁半导体 Mn掺杂ZnO 脉冲磁场 水热法
• 年，卷（期）: 2012,（19）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 496-502
• 分类号: TN304
• 语种: 中文

摘要

本文以Zn（CH3COO）2·2H2O，Mn（CH3COO）2·4H2O和氨水缓冲溶液为原料，在4T脉冲磁场下利用水热法制备了Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体，通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱、荧光分光光度计及振动样品磁强计等对样品的微观结构及磁性能等进行了表征，结果表明：Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体仍保持ZnO六方纤锌矿结构，4T脉冲磁场下合成的Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体具有明显的室温铁磁性，其饱和磁化强度（M5）为0．028emu／g，比无脉冲磁场下制备的样品提高一倍以上，且4T脉冲磁场将样品的居里温度提高了15K．